晶圆“吸氧”提升光刻效率，imec 展示最新研究成果

　比利时校际微电子研究中心 imec 本月 25 日表示，在测试平台上，对于适用于 High NA EUV 等先进光刻的金属氧化物光刻胶 (MOR)，高于大气环境的氧气含量可实现更出色的烘烤放大，这意味着相同的最终效果仅需更低的光刻照射剂量，从而能缩短光刻用时、提升生产效率。

　　imec 在测试中使用了 50% 的氧气浓度含量，发现烘烤进程加速了 15~20%，这一趋势在商用 MOR 与模型 MOR 中均有体现，展示了优化半导体光刻全流程效率的新思路。