三星与台积电合作开发无缓冲HBM4 AI芯片

据报道，三星电子正与台积电合作开发下一代高带宽存储器HBM4人工智能(AI)芯片，以加强其在快速增长的AI芯片市场的地位。

在Semicon Taiwan 2024论坛上，台积电生态系统和联盟管理负责人Dan Kochpatcharin表示，两家公司正在开发无缓冲的HBM4芯片。

HBM对AI热潮至关重要，它比传统内存芯片提供了更快的处理速度。

HBM4是第六代HBM芯片，三星、SK海力士和美光科技等主要存储制造商计划最早明年为包括英伟达在内的AI芯片厂商大规模生产。

分析人士表示，如果三星和台积电合作开发无缓冲HBM4芯片，这将是双方在AI芯片领域的首次合作。在代工或合同芯片制造领域，三星是第二大厂商，与规模更大的竞争对手台积电激烈竞争。

行业官员表示，无缓冲HBM4的能效比现有型号高40%，延迟比现有型号低10%。

Dan Kochpatcharin表示，随着内存制造过程变得越来越复杂，合作“变得比以往任何时候都更加重要”。

三星将于2025年量产HBM4。消息人士称，三星与台积电的合作将从尖端的第六代HBM4芯片开始，这家韩国公司计划于明年下半年开始量产该芯片。虽然三星能够提供全面的HBM4服务，包括内存生产、代工和先进封装，但它希望利用台积电的技术来获得更多客户。

市场研究公司TrendForce的数据显示，三星占有HBM市场35%的份额。为巩固HBM领导地位，未从事代工业务的SK海力士于今年4月宣布与台积电合作生产HBM4芯片，计划在2026年量产。