日韩贸易战开打，爆NAND与DRAM双涨效应

日本管制三大电子业关键耗材输韩，全球内存龙头三星高层紧急赴日交涉之余，传内部启动紧急应变计划，将把库存耗材优先用于获利主轴的DRAM生产，缩减目前缺乏获利动能的NANDFlash投片，减产幅度逾二成，台湾旺宏、华邦、群联等NAND族群将享有低价库存涨价利益。

内存业者分析，三星全球NAND市占逾三成，此次缩减逾二成产出，等于全球将减少逾6%至8%供应量，加上东芝NAND工厂上月受强震影响产能估达3%，合计本月起，全球NAND产出将减少近一成，且美光也宣布本季减产五成NAND芯片，预料在库存快速消化及未来供给大幅缩减下，NAND芯片恐出现缺货，价格也将结束长达二年多的跌势。

内存业者透露，三星先前在东芝工厂因强震停工后，已调涨NAND售价约一成，此次三星大幅减产，将造成强大的NAND抢货潮，带动价格进一步强弹。若日韩贸易谈判再僵持，下季DRAM合约价也将止跌反弹，出现NAND与DRAM两大内存“双涨”效应。

随着报价反弹，国内具备NAND芯片制造能力的旺宏、华邦将是主要受惠厂;内存模组威刚、创见、十铨、群联、宇瞻和广颖等，旺季效应则将会相当明显，营运可望大幅提升。

三星对日本管制氟聚酰亚胺、光阻剂与氟化氢等三大关键耗材输韩相当紧张。三星电子副会长李在镕日前为此亲自赴日协商供货，韩联社14日报导，李在镕于13日在三星举行的一场特别会议上，告知高阶主管访日之旅已确保取得足够的氟聚酰亚胺、光阻剂与氟化氢，但他也要求三星主要要备妥内部应急计划。

内存通路商透露，三星内部的因应计划是将既有的光阻剂和氟化氢等耗材库存，优先支应还有不错获利的DRAM产品，并缩减接近成本边缘的NAND芯片生产，减产幅度达二到三成，顺势消化NAND库存并使报价提升。

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